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龙图腾网获悉深圳国微福芯技术有限公司申请的专利一种集成电路良率估计方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114330188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210006053.9，技术领域涉及：G06F30/337；该发明授权一种集成电路良率估计方法及存储器是由陈光;赵文鹏;范文妍;陈全;鲍琛;白耿设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路良率估计方法及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路良率估计方法及存储器，所述方法包括：将划分集成电路性能成功区域和失败区域的边界在参数空间公式化，表示为边界面公式化方程；计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小；计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小与各个参数范围形成的空间大小之比，得到估算的良率。采用本发明的技术方案，可以提高集成电路良率的估计效率。

本发明授权一种集成电路良率估计方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种集成电路良率估计方法，其特征在于，包括： 将划分集成电路性能成功区域和失败区域的边界在参数空间公式化，表示为边界面公式化方程，所述边界面公式化方程如下： ， 其中，表示参数向量，m表示参数的个数，表示电路性能； 计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小； 计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小与各个参数范围形成的超立方体的空间大小之比，得到估算的良率，具体包括： 对所述边界面公式化方程进行求解，得到每个参数轴与边界面的交点坐标； 根据解析体积计算公式计算所述多个交点以及参数轴零点形成的单纯形的空间大小V0，并进行如下迭代： 根据参数方程找出所述边界面上的下一个点，其中，p0为边界面上已知且相邻的N个交点的质心，u为法向量，s是沿着单位向量u的长度，N为参数轴的个数； 根据解析体积计算公式计算新发现的点与用于找出该点的多个点形成的单纯形的空间大小Vi,其中，i为第i个新发现的点； 当Vi的绝对值小于设定的阈值时，停止迭代，并计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小V=。

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