国际商业机器公司C.朴获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有完全对准的通孔的互连结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056584.8，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权具有完全对准的通孔的互连结构是由C.朴;N.A.兰齐洛;C.佩尼;L.克莱文格;B.普拉纳塔西哈兰设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有完全对准的通孔的互连结构在说明书摘要公布了：一种互连结构100包括层间电介质ILD112，该层间电介质具有沿第一方向延伸穿过其中的空腔122。第一导电带110形成在衬底102上和空腔122内。第一导电带110沿第一方向并跨衬底102的上表面延伸。第二导电带118在所述ILD的上表面上并且沿与所述第一方向相反的第二方向延伸。完全对准的通孔FAV124在第一和第二导电带110,118之间延伸，使得FAV124的所有侧与第一导电带110的相对侧和第二导电带118的相对侧共面，由此提供与第一导电带110和第二导电带118完全对准的FAV。
本发明授权具有完全对准的通孔的互连结构在权利要求书中公布了：1.一种制造互连结构的方法，所述方法包括： 在衬底的上表面上形成沿第一方向延伸的第一导电带； 使第一导电带的第一部分凹陷； 在使第一导电带的第一部分凹陷之后，在衬底上沉积层间电介质ILD材料以覆盖第一导电带，并蚀刻ILD材料以暴露第一导电带的上表面； 在ILD材料的上表面上形成第二导电带，使得第二导电带沿与第一方向相反的第二方向延伸且横跨第一导电带；以及 使第一导电带的位于第二导电带的相对侧上的暴露部分凹陷到层间电介质以下以形成相应的空腔暴露第一导电带的上表面，同时保留第一导电带的被第二导电带覆盖的被覆盖部分，以在第一导电带与第二导电带之间形成完全对准的通孔FAV。
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