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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055617.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体装置是由宅间彻;山田克明设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：例如半导体装置具有：输出电极，其构成为与感应性负载连接；接地电极，其构成为与接地端连接；第一晶体管及第二晶体管，其构成为并列连接于上述输出电极与上述接地电极之间；有源钳位电路，其构成为与上述第一晶体管的栅极连接；以及栅极控制电路，其构成为以在第一动作状态下将上述第一晶体管及上述第二晶体管接通、在第二动作状态下将上述第一晶体管及上述第二晶体管断开的方式，进行上述第一晶体管及上述第二晶体管各自的栅极控制，上述栅极控制电路在从上述第一动作状态向上述第二动作状态迁移后、且在上述有源钳位电路动作前，使上述第二晶体管的栅极源极间短路。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 输出电极，其构成为与感应性负载连接； 接地电极，其构成为与接地端连接； 第一晶体管及第二晶体管，其构成为并列连接于上述输出电极与上述接地电极之间； 有源钳位电路，其构成为与上述第一晶体管的栅极连接；以及 栅极控制电路，其构成为以在第一动作状态下将上述第一晶体管及上述第二晶体管接通、在第二动作状态下将上述第一晶体管及上述第二晶体管断开的方式，进行上述第一晶体管及上述第二晶体管各自的栅极控制， 上述栅极控制电路在从上述第一动作状态向上述第二动作状态迁移后、且在上述有源钳位电路动作前，使上述第二晶体管的栅极源极间短路， 上述有源钳位电路包括： 齐纳二极管，其构成为阴极与上述第一晶体管的漏极连接；以及 二极管，其构成为阳极与上述齐纳二极管的阳极连接、阴极与上述第一晶体管的栅极连接， 上述栅极控制电路包括第三晶体管，该第三晶体管连接于上述第二晶体管的栅极源极间，根据上述有源钳位电路的内部节点电压而被接通断开， 上述内部节点电压为上述第三晶体管的栅极电压， 上述栅极控制电路还包括： 第一开关，其构成为连接于施加有外部控制信号的输入电极与上述第一晶体管的栅极之间，当上述外部控制信号比低电压检测阈值高时接通； 第二开关，其构成为连接于上述输入电极与上述第二晶体管的栅极之间，当上述外部控制信号比上述低电压检测阈值高时接通；以及 第三开关，其连接于上述内部节点电压的施加端与上述第三晶体管的栅极之间，当上述外部控制信号比上述低电压检测阈值低时接通。

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