台湾积体电路制造股份有限公司吴绍鼎获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利可熔结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111201595.3，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权可熔结构及其制造方法是由吴绍鼎;张盟昇;周绍禹;黄中毅设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本可熔结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种可熔结构，包括金属线，该金属线所具有的不同部分具有不同的厚度。金属线的较薄部分设计成在较低电压下破坏性地改变，而金属线的较厚部分设计成在较高电压下破坏性地改变。另外，一个或者多个伪结构设置成接近于金属线的较薄部分。在一些实施例中，伪结构放置成足够接近以使得在金属线破坏性地改变时能够防止金属溅射。本申请的实施例还提供一种可熔结构的制造方法。
本发明授权可熔结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种可熔结构，包括： 金属线，沿着第一方向延伸；以及 第一伪结构，设置成相对于第二方向接近于所述金属线，所述第二方向垂直于所述第一方向； 第二伪结构，所述第二伪结构和所述第一伪结构相对于所述第一方向位于所述金属线的相对侧上；并且 其中： 相对于所述第一方向，所述金属线包括第一部分、第二部分、和第三部分，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间； 相对于垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，其中，所述第三方向垂直于所述第一伪结构和所述第二伪结构的相对设置方向；并且 所述第一伪结构和所述第二伪结构接近于所述金属线的所述第二部分，其中，所述第二部分由第一分界线和第二分界线来分界，在所述第一方向上，所述第一伪结构在所述第一分界线和所述第二分界线之间，所述第二伪结构具有位于所述第一分界线和所述第二分界线之间的部分，并且所述第一伪结构和所述第二伪结构分别位于相比于所述第一部分更薄的所述第二部分的两侧。
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