成都中电熊猫显示科技有限公司孙学军获国家专利权
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龙图腾网获悉成都中电熊猫显示科技有限公司申请的专利阵列基板的制作方法及阵列基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113467141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010247584.8，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板的制作方法及阵列基板是由孙学军;刘翔;杨松;李广圣设计研发完成，并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制作方法及阵列基板在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻，使栅金属层形成栅极和扫描线；依次沉积栅极绝缘层、半导体层和源漏金属层，通过第二次光刻，使半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极和数据线，源极和漏极之间形成沟道区域；通过悬涂工艺涂覆彩色滤光片色阻层，并进行曝光显影工艺；沉积保护层，通过第三次光刻，在漏极上方的保护层和彩色滤光片色阻层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通。本发明提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，可防止氧化硅保护层对金属铜造成氧化。
本发明授权阵列基板的制作方法及阵列基板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极和扫描线； 依次沉积栅极绝缘层、半导体层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述半导体层形成有源岛，所述源漏金属层形成源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极之间形成沟道区域，所述源漏金属层包括铜阻挡层和覆盖在所述铜阻挡层上的金属铜层； 通过悬涂工艺涂覆彩色滤光片色阻层，并进行曝光显影； 沉积含氧化硅的保护层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述保护层和所述彩色滤光片色阻层上形成导电过孔； 沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通； 所述彩色滤光片色阻层用于吸收光且隔开所述金属铜和所述保护层。
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