原子能和替代能源委员会卡罗尔·佩内尔获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011489674.4，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法是由卡罗尔·佩内尔;阿梅莉·迪赛涅设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种弛豫GaNInGaN结构及其制造方法，包括以下步骤：a提供一种装置，包括：GaNInGaN结构，其包括局部覆盖有InGaN台面100的导电掺杂的GaN层204，InGaN台面包括掺杂的InGaN层101和未掺杂或弱掺杂的InGaN层102，在InGaN台面100之间覆盖导电掺杂的GaN层204的电绝缘层300；b将导电掺杂的GaN层204和对电极500电连接到电压或电流发生器；c将装置和对电极500浸入电解液中；d在导电掺杂的GaN层204和第二电极500之间施加电压或电流，以使掺杂的InGaN层101孔隙化；e在InGaN台面100上外延形成InGaN层，从而获得弛豫的外延生长的InGaN层400。
本发明授权弛豫GAN/INGAN结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造至少部分弛豫的GaNInGaN结构的方法，包括以下步骤： a提供一种装置，包括： GaNInGaN结构，其包括局部覆盖有InGaN台面100的导电掺杂的GaN层204，所述InGaN台面100包括掺杂的InGaN层101和位于所述掺杂的InGaN层101之上的未掺杂或弱掺杂的InGaN层102， 在所述InGaN台面100之间覆盖所述导电掺杂的GaN层204的电绝缘层300； b将所述装置的所述导电掺杂的GaN层204和对电极500电连接到电压发生器或电流发生器； c将所述装置和所述对电极500浸入到电解液中； d在所述导电掺杂的GaN层204和第二电极500之间施加电压或电流，以使所述InGaN台面100的掺杂的InGaN层101孔隙化； e在所述InGaN台面100上通过外延形成InGaN层，从而获得弛豫的外延生长的InGaN层400。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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