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龙图腾网获悉意法半导体国际有限公司申请的专利存储器内计算、高密度阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112435700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010861507.1，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权存储器内计算、高密度阵列是由A·格罗弗;T·罗伊设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器内计算、高密度阵列在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器内计算、高密度阵列。一种进行存储器内计算操作的存储器单元，包括一对交叉耦合的反相器和用于选择性地进行与一对交叉耦合的反相器的逻辑状态相关联的读写保持操作的一对晶体管。存储器单元还包括栅极耦合到一对交叉耦合的反相器并关于一对交叉耦合的反相器对称布置的一组晶体管。该存储器单元的输出节点位于该组晶体管的端子处，并且基于一对交叉耦合的反相器以及设置在该组晶体管的对之间的输入节点的逻辑状态来提供输出。可生成具有能够进行存储器内计算操作的高密度布置存储器单元的存储器单元阵列。存储器单元可被布置为神经网络，该神经网络包括基于相应存储器单元的逻辑状态提供逻辑输出操作的一组存储器单元网络。

本发明授权存储器内计算、高密度阵列在权利要求书中公布了：1.一种神经网络的电路，包括： 多个存储器单元网络，每个存储器单元网络包括： 并联耦合在一起的一组存储器单元，其中一组存储器单元的存储器单元分别包括： 第一反相器，具有第一输入和第一输出； 第二反相器，具有在所述存储器单元的第一节点处耦合到所述第一输出的第二输入、以及在所述存储器单元的第二节点处耦合到所述第一输入的第二输出； 第一晶体管，具有耦合到所述第一节点的第一端子、以及耦合到字线节点的栅极； 第二晶体管，具有耦合到所述第二节点的第一端子、以及耦合到所述字线节点的栅极； 第三晶体管，具有耦合到所述存储器单元的第一输出节点的第一端子、耦合到所述存储器单元的第三节点的第二端子、以及耦合到所述第一节点的栅极； 第四晶体管，具有耦合到所述存储器单元的第二输出节点的第一端子、耦合到所述存储器单元的第四节点的第二端子、以及耦合到所述第二节点的栅极； 第五晶体管，具有耦合到所述第三节点的第一端子、耦合到所述存储器单元的第三输出节点的第二端子、以及耦合到所述第二节点的栅极；以及 第六晶体管，具有耦合到所述第四节点的第一端子、耦合到所述存储器单元的第四输出节点的第二端子、以及耦合到所述第一节点的栅极；以及 放大器电路，基于从所述一组存储器单元的输出节点接收的一组信号来提供所述存储器单元网络的数据输出，所述输出节点对应于所述第一输出节点、所述第二输出节点、所述第三输出节点和所述第四输出节点中的一个或多个节点，其中，在操作中，所述存储器单元网络的所述数据输出对应于所述神经网络的一位数据。

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