兰州交通大学刘虎获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州交通大学申请的专利一种无掺杂无电容动态随机存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178515U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520942413.5，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型一种无掺杂无电容动态随机存储器是由刘虎;李余斌;潘磊;王鹏宇;李春燕设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无掺杂无电容动态随机存储器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种无掺杂无电容动态随机存储器。本实用新型提供一种无掺杂无电容动态随机存储器,该无掺杂无电容动态随机存储器为双源漏电极，从而使得源区空穴分布更加均匀；并在栅电极下采用第二介质层，用于增强源区本征沟道区间和存储窗口漏区间的电场强度，从而使本实用新型具有更高的感测裕度和保持时间。将栅电极改变为异质栅结构，可以在其下沟道中感应出一个N型窗口，减小源沟道隧穿结处的横向隧穿距离，从而增强此处的电子隧穿率，进而导致具有更高的感测裕度。
本实用新型一种无掺杂无电容动态随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种无掺杂无电容动态随机存储器，其特征在于，包括： 硅衬底，硅衬底左右边缘区域对称开设有第一U形凹槽和第二U形凹槽； 存储窗口1，嵌设在所述硅衬底表面，所述存储窗口1靠近所述第二U形凹槽； N型窗口2，嵌设在所述硅衬底设置有存储窗口1的表面，所述N型窗口2靠近所述第一U形凹槽，所述N型窗口2与所述存储窗口1之间设置有本征沟道区8； 电极3，包括源极301和漏极302，所述源极301设置在所述第一U形凹槽内，所述漏极302设置在所述第二U形凹槽内，所述漏极302与所述存储窗口1之间设置有漏区5，所述源极301与所述N型窗口2之间设置有源区4； 栅电极6，嵌设在所述硅衬底的上下边缘处，所述电极3与所述栅电极6电连接； 介质层7，覆盖设置所述N型窗口2、电极3、源区4和栅电极6的位置。
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