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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211036649.X，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括：竖直地叠置在衬底上的多个单元有源层，各单元有源层包括设于该单元有源层中不同竖直高度处的下源漏区和上源漏区以及下源漏区与上源漏区之间的沟道区；衬底上相对于衬底竖直延伸以穿过多个单元有源层的栅堆叠，其中栅堆叠包括栅导体层和设置在栅导体层与单元有源层之间的存储功能层，在栅堆叠与各单元有源层相交之处限定存储单元；以及设于各单元有源层的下表面和上表面中至少之一上的导电金属层。

本发明授权存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 竖直地叠置在衬底上的多个单元有源层，各所述单元有源层包括设于该单元有源层中不同竖直高度处的下源漏区和上源漏区以及所述下源漏区与所述上源漏区之间的沟道区； 所述衬底上相对于所述衬底竖直延伸以穿过所述多个单元有源层的栅堆叠，其中所述栅堆叠包括栅导体层和设置在所述栅导体层与所述单元有源层之间的存储功能层，在所述栅堆叠与各所述单元有源层相交之处限定存储单元； 设于各所述单元有源层的下表面和上表面中至少之一上的导电金属层；以及 竖直方向上相邻的导电金属层之间的隔离层， 所述存储器件还包括以下至少之一： 所述衬底上的底部隔离层，介于所述多个单元有源层与所述衬底之间，所述底部隔离层在其面向所述衬底的第一表面以及面向所述多个单元有源层中最下的单元有源层的第二表面上具有导电金属层，所述第二表面上的导电金属层构成所述最下的单元有源层的下表面上的导电金属层；以及 所述多个单元有源层上的顶部隔离层，所述顶部隔离层在其面向所述个单元有源层中最上的单元有源层的第三表面以及背对所述最上的单元有源层的第四表面上具有导电金属层，所述第三表面上的导电金属层构成所述最上的单元有源层的上表面上的导电金属层。

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