中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司余桥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011568329.X，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权半导体结构的形成方法是由余桥;孙天杨设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口；对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区；刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，形成相邻的第一阻挡结构和第二阻挡结构。从而，降低了形成半导体结构的工艺的难度、减小了形成半导体结构的成本。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层； 在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口，所述第一开口的底部暴露出所述第一掩膜材料层的部分表面，且所述第二开口的底部也暴露出所述第一掩膜材料层的部分表面； 对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一开口底部暴露出的所述第一掩膜材料层内，所述第二掺杂区位于第二掺杂区底部暴露出的所述第一掩膜材料层内，所述第一掺杂区的宽度大于所述第一开口的宽度，所述第二掺杂区的宽度大于所述第二开口的宽度，且每次所述旋转注入的离子注入角度大于0度； 刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，形成相邻的第一阻挡结构和第二阻挡结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励