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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011451164.8，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室是由金相一;张月;杨涛;卢一泓;刘青设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中晶圆表面薄膜厚度测量需要单独的步骤，工艺步骤浪费，生产效率低；可能造成颗粒的再次飘落和附着；设备空间占用大，设备制造成本攀升的问题。本发明的CMP过程后晶圆厚度测量装置，包括晶圆厚度测量设备；晶圆厚度测量设备设置在清洗腔室内，且位于清洗剂池上方的干燥气体喷射口的上方；晶圆厚度测量设备用于在晶圆清洗完成后的上升过程中对晶圆厚度进行测量。实现了在马兰戈尼干燥的同时对CMP效果进行测量。

本发明授权一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室在权利要求书中公布了：1.一种CMP过程后清洗腔室内晶圆厚度测量装置，其特征在于，包括晶圆厚度测量设备； 所述晶圆厚度测量设备设置在清洗腔室内，且位于清洗剂池上方的干燥气体喷射口的上方；基于马兰戈尼干燥装置，安装于马兰戈尼干燥装置的气体喷射杆上方；所述晶圆清洗完成后在顶升机构的作用下沿平行于晶圆表面的方向上升； 所述晶圆厚度测量设备用于在晶圆清洗完成后的上升过程中对晶圆厚度进行测量，且晶圆最高处平齐于干燥气体喷射口时，所述晶圆厚度测量设备开始工作，实现对上升中的整片晶圆表面薄膜各位置的测量； 所述晶圆厚度测量设备包括线形光学发射器和线形光学接收器，所述光学发射器为激光发射器，所述光学接收器为激光接收器；所述线形光学发射器和线形光学接收器水平放置，所述线形光学发射器的检测光的检测宽度d1不小于晶圆直径d，所述线形光学接收器的检测光的检测宽度d2不小于d1的1.1倍； 所述线形光学发射器用于发射检测光，所述线形光学接收器用于接收经晶圆表面反射和折射后的检测光，且所述线形光学发射器、线形光学接收器与干燥气体喷射口同时启动工作； 所述线形光学发射器和线形光学接收器距离晶圆表面1-4cm，且其水平位置与晶圆提升至最高位置时顶升装置的水平位置相同； 所述线形光学发射器发射的激光还可用于对顶升装置与晶圆边缘接触部分聚集残留的液体进行干燥。

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