美光科技公司J·M·布朗获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利使用延迟锁定回路(DLL)电路系统的存取命令延迟获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111004115.4，技术领域涉及：G11C7/22；该发明授权使用延迟锁定回路(DLL)电路系统的存取命令延迟是由J·M·布朗;V·J·万卡雅拉设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用延迟锁定回路(DLL)电路系统的存取命令延迟在说明书摘要公布了：本申请涉及使用延迟锁定回路DLL电路系统的存取命令延迟。存储器装置可具有存储器阵列和延迟锁定回路DLL电路，所述延迟锁定回路DLL电路调整与所述存储器阵列的存取操作相关联的信号。所述存储器装置还可包含控制器，所述控制器通过经由所述DLL电路的延迟电路系统发射用以存取所述存储器阵列的存取命令来延迟所述存取命令。这可致使当从所述延迟电路系统输出时所述存取命令被延迟第一持续时间。所述存取命令的延迟可使数据信号与所述存取命令对准，使得所述存取命令和系统时钟可致使锁存所述数据信号的合适的数据。
本发明授权使用延迟锁定回路(DLL)电路系统的存取命令延迟在权利要求书中公布了：1.一种用于存储器操作的装置，其包括： 多个存取线，其布置成网格； 多个存储器单元，其位于所述网格中的所述存取线的相交点处； 驱动器，其经配置以响应于存取命令将相应信号发射到所述多个存储器单元中的存储器单元；以及 命令延迟电路，其经配置以基于参考时钟信号及来自数据DQ引脚的数据信号的转变之间的相位差使所述存取命令延迟第一持续时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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