台湾积体电路制造股份有限公司李国辅获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于电容提取的系统和方法以及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114117990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111106872.2，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权用于电容提取的系统和方法以及计算机可读存储介质是由李国辅;颜景阳;苏哿颖;魏朝文设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于电容提取的系统和方法以及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：一种用于电容提取的方法包括：对半导体布局的一个或多个第一区执行第一电容提取；对半导体布局的一个或多个第二区执行第二电容提取，第二电容提取的分辨率小于第一电容提取的分辨率；基于第一电容提取和第二电容提取的结果来为半导体布局构建网表；以及基于网表来修改半导体布局。该修改的半导体布局用于制造集成电路。本发明的实施例还涉及用于电容提取的系统以及非暂时性计算机可读存储介质。
本发明授权用于电容提取的系统和方法以及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于电容提取的方法，包括： 利用第一分辨率对半导体布局的一个或多个第一区执行第一电容提取，执行所述第一电容提取包括：基于被选择为用于随机游走法的第一步长参数计算与相同的所述第一区内的第一结构的第一部分和第二结构的第一部分相关联的第一电容参数； 利用小于所述第一分辨率的第二分辨率对所述半导体布局的一个或多个第二区执行第二电容提取，执行所述第二电容提取包括：基于被选择为用于所述随机游走法的大于所述第一步长参数的第二步长参数计算与相同的所述第二区内的所述第一结构的第二部分和所述第二结构的第二部分相关联的第二电容参数、以及附加的电容参数，所述附加的电容参数与所述第一区中的所述第一结构的第一部分和所述第二结构的第一部分以及对应的所述第二区中的所述第二结构的第二部分和所述第一结构的第二部分相关联； 计算总电容值，所述总电容值与所述第一结构和所述第二结构相关联，计算所述总电容值包括计算所述第一电容参数、所述第二电容参数和所述附加的电容参数之和； 基于所述第一电容提取和所述第二电容提取的结果来为所述半导体布局构建网表；以及 基于所述网表来修改所述半导体布局，所述修改的半导体布局用于制造集成电路。
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