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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010761555.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备是由张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该结构包括半导体基底及其上的间隔分布的多个焊垫，下电极位于焊垫上。相邻的下电极的侧壁之间设置有至少两层下支撑件。动态随机存取存储器包括本公开的电容器结构。该设备包括本公开的动态随机存取存储器。该方法包括：在半导体基底上形成焊垫且形成第一叠层和第二叠层。第一叠层包括一层下模制层、两层下支撑层及处于两层下支撑层之间的处置层，第二叠层包括上模制层和上支撑层。刻蚀第二叠层和第一底层，从而形成至少两层下支撑件及上支撑件。本公开在相邻的两电极之间沿着垂直于基底的方向上具有多个下支撑件，从而解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题。

本发明授权一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体电容器结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，在所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫； 在所述半导体基底上方依次形成至少一个第一叠层和至少一个第二叠层；所述第一叠层包括一层下模制层、两层下支撑层及处于所述两层下支撑层之间的处置层，所述第二叠层包括一层上模制层和一层上支撑层； 刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层，以形成电容孔，进而露出各焊垫； 在各所述电容孔内沉积形成下电极； 刻蚀剩余的所述第二叠层和所述第一叠层，以形成相邻的所述下电极的侧壁之间的至少两层下支撑件和至少一层上支撑件； 依次向所述电容孔内沉积高介电绝缘层和上电极，所述高介电绝缘层沉积于所述下电极的底部和内侧壁上，所述上电极沉积于高介电绝缘层的上方； 其中，刻蚀剩余的所述第二叠层和所述第一叠层的过程包括： 依次形成硬掩模层和光刻胶层； 根据要形成的支撑件图形图案化所述光刻胶层； 以经图案化后的光刻胶层为掩模刻蚀所述硬掩模层，从而形成支撑件掩模； 基于剩余的硬掩膜与所述支撑件掩模刻蚀剩余的所述第二叠层和所述第一叠层； 其中，基于剩余的硬掩膜与所述支撑件掩模刻蚀剩余的所述第二叠层和所述第一叠层的过程包括： 基于剩余的硬掩膜与所述支撑件掩模刻蚀所述第二叠层和所述第一叠层，以在沉积于所述电容孔内的下电极之间形成支撑孔；所述支撑孔穿过所述第二叠层且穿入所述第一叠层； 向所述支撑孔内填充BOE类溶液，利用BOE类溶液去除所述上模制层； 基于剩余的硬掩膜与所述支撑件掩模刻蚀所述第一叠层，从而使支撑孔加深； 向加深后的支撑孔内填充BOE类溶液，利用BOE类溶液去除所述处置层和所述下模制层；所述处置层的材质为氮化硅；所述下模制层的材质为模氧化层。

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