意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司A·康特获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司申请的专利用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114067884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110899221.7，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路是由A·康特;F·拉罗萨设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路。在一个实施例中，一种用于利用权重因子对输入值进行卷积计算CNVL的方法包括将输入值转换为电压信号，并且在相应时隙之上在非易失性存储器点阵列中的所选择的位线上连续施加电压信号，每个存储器点包括耦合到位线并且具有与权重因子相对应的电阻状态的相变电阻存储器单元、以及与相变电阻存储器单元串联耦合并且具有与字线耦合的基极端子的双极选择晶体管，其中相应电压信号偏置相应相变存储器单元，在连续时隙之上对由偏置相应相变电阻存储器单元的电压信号产生、并且流过所选择的字线的读取电流进行积分，并且将积分后的读取电流转换为输出值。
本发明授权用于存储器中卷积计算的方法和对应的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于利用权重因子对输入值进行卷积计算CNVL的方法，所述方法包括： 将所述输入值转换为电压信号，并且在相应时隙之上在非易失性存储器点阵列中的所选择的位线上连续施加所述电压信号，每个非易失性存储器点包括相变电阻存储器单元和双极选择晶体管，所述相变电阻存储器单元耦合到位线，并且具有与权重因子相对应的电阻状态，所述双极选择晶体管与所述相变电阻存储器单元串联耦合、并且具有与字线耦合的基极端子，其中相应的所述电压信号偏置相应的所述相变电阻存储器单元，其中所述双极选择晶体管被设置有小于1的β增益； 在连续时隙之上对由偏置相应的所述相变电阻存储器单元的所述电压信号产生、并且流过所选择的字线的读取电流进行积分；以及 将积分后的所述读取电流转换为输出值。
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