株式会社迪思科能丸圭司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片加工方法和晶片加工装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110008119.3，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权晶片加工方法和晶片加工装置是由能丸圭司设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片加工方法和晶片加工装置在说明书摘要公布了：本发明提供晶片加工方法和晶片加工装置，无论晶片的种类或加工的种类而能够高效地将晶片加工成各个芯片。根据本发明，提供晶片加工方法和晶片加工装置，该晶片加工方法构成为包含如下的工序：保持工序，将晶片10保持于保持单元4；破坏层形成工序，将冲击波PL3的会聚点P1定位于保持单元4所保持的晶片10而在要分割的区域形成破坏层S1；以及分割工序，将破坏层S1作为起点而将晶片10分割成各个芯片12’。该晶片加工装置构成为包含：保持单元，其对晶片进行保持；以及破坏层形成单元，其将冲击波的会聚点定位于保持单元所保持的晶片而在要分割的区域形成破坏层。
本发明授权晶片加工方法和晶片加工装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片加工方法，将晶片分割成各个芯片，其中， 该晶片加工方法构成为包含如下的工序： 保持工序，将晶片保持于保持单元； 破坏层形成工序，将冲击波的会聚点定位于该保持单元所保持的晶片而在要分割的区域形成破坏层；以及 分割工序，将该破坏层作为起点而将晶片分割成各个芯片， 在该破坏层形成工序中，通过照射脉冲激光光线的第一激光光线照射单元将每一个脉冲的激光光线形成为按照每个波长而具有时间差的环状，向晶片照射该形成为环状的脉冲激光光线从而在要分割的区域生成冲击波而形成会聚点，通过该第一激光光线照射单元来调整该时间差，从而设定该冲击波的会聚点的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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