三星电子株式会社李商勋获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011190809.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体装置是由李商勋设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括下结构、上图案、堆叠结构、穿过堆叠结构的分隔结构、包括沟道层的竖直结构，其中，堆叠结构包括多个层间绝缘层和多个栅极层，下结构包括第一下图案和材料与第一下图案的材料不同的第二下图案，第一下图案包括位于第二下图案与沟道层之间的第一部分、从第一部分延伸到第二下图案与上图案之间的区域的第二部分以及从第一部分延伸到第二下图案与基底结构之间的区域的第三部分，并且第一下图案不朝向上图案的侧表面延伸。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底结构； 下结构，位于所述基底结构上； 上图案，位于所述下结构上； 堆叠结构，位于所述下结构上； 分隔结构，穿过所述堆叠结构； 竖直结构，位于所述分隔结构之间，穿过所述堆叠结构、所述上图案和所述下结构并延伸到所述基底结构中，并且包括沟道层； 接触塞，位于所述竖直结构上；以及 导线，位于所述接触塞上， 其中，所述堆叠结构包括交替且重复堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极层， 所述下结构包括第一下图案和材料与所述第一下图案的材料不同的第二下图案， 所述第一下图案包括位于所述第二下图案与所述沟道层之间的第一部分、从所述第一部分延伸到所述第二下图案与所述上图案之间的区域的第二部分以及从所述第一部分延伸到所述第二下图案与所述基底结构之间的区域的第三部分， 所述第一下图案不朝向所述上图案的侧表面延伸，并且 其中，所述下结构还包括第三下图案， 其中，所述第三下图案位于所述分隔结构与所述第一下图案之间并且位于所述第二下图案与所述分隔结构之间，并且 其中，所述第二下图案由氧化硅形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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