瑞萨电子株式会社山口直获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010711456.4，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权半导体器件及其制造方法是由山口直设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。形成包含铪、氧和第一元素的第一非晶膜，并且在第一非晶膜上形成包含不同于铪、氧和第一元素中的任一种的第二元素的多个晶粒。在多个晶粒和第一非晶膜之上形成包含不同于铪和第二元素中的任一种的第三元素的绝缘膜，从而形成包含第二元素和第三元素的多个晶粒。在多个晶粒和第一非晶膜上形成包含与第一非晶膜的材料相同的材料的第二非晶膜。通过执行热处理，使第一非晶膜和第二非晶膜结晶，以分别形成斜方晶的第一铁电膜和斜方晶的第二铁电膜。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： a形成包含铪、氧和第一元素的第一非晶膜； b在所述第一非晶膜上形成多个第一晶粒，所述多个第一晶粒包含不同于铪、氧和所述第一元素中的任一种的第二元素； c在b之后，在所述第一非晶膜上形成绝缘膜，所述绝缘膜包含不同于铪、氧、所述第一元素和所述第二元素中的任一种的第三元素； d在所述绝缘膜上形成包含铪、氧和所述第一元素的第二非晶膜； e在所述第二非晶膜上形成第一金属膜；以及 f在e之后，执行热处理以使所述第一非晶膜结晶以形成斜方晶的第一铁电膜，并且使所述第二非晶膜结晶以形成斜方晶的第二铁电膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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