天津工业大学杨杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511727820.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构及其制备方法是由杨杰;徐硕;刘宗迪;牛萍娟设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构及其制备方法，属于紫外光发光器件技术领域，包括衬底、缓冲层、n型掺杂层、多量子阱层、p型掺杂层插头、p型掺杂层、钝化层、n型接触电极、p型接触电极和加厚金属电极，多量子阱层包括可发射不同波长的多量子阱层。本发明提供的p型掺杂层插头插入到多量子阱层中，可以使p型掺杂层提供的空穴更好地注入到多量子阱层中，通过控制p型掺杂层插头插入到多量子阱层中的深度，实现紫外波段不同波长发射强度的变化，可以根据需求调控各个波段的发射比，从而应用于不同的场景，提高了紫外LED结构的广泛适用性。
本发明授权一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波长光谱可控的紫外发光二极管结构，其特征在于，包括衬底1，所述衬底1上设有缓冲层2，所述缓冲层2上设有n型掺杂层3，所述n型掺杂层3上分别设有多量子阱层4和n型接触电极9，所述多量子阱层4自下而上包括UVC多量子阱层、UVB多量子阱层和UVA多量子阱层，所述UVC多量子阱层和UVB多量子阱层之间设有第一渐变过渡层5，所述UVB多量子阱层和UVA多量子阱层之间设有第二渐变过渡层6，所述多量子阱层4上设有p型掺杂层插头7，且所述p型掺杂层插头7插入到所述多量子阱层4内，所述p型掺杂层插头7上设有p型掺杂层8，所述p型掺杂层8上设有p型接触电极10，所述紫外发光二极管结构的表面覆盖有钝化层11，且所述钝化层11覆盖在所述n型接触电极9和p型接触电极10上，所述钝化层11上设有两个加厚金属电极12，且两个所述加厚金属电极12分别位于所述n型接触电极9和p型接触电极10上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津工业大学，其通讯地址为：300387 天津市西青区宾水西道399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励