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龙图腾网获悉四川轻化工大学申请的专利一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511249287.6，技术领域涉及：H10P32/14；该发明授权一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用是由杜玲艳;陈福松;任先培;刘世平;徐顺阳;程堰林设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用，属于半导体光电子材料技术领域；一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料的制备方法，包括以下步骤：采用真空沉积工艺在硅基底表面沉积Se掺杂薄膜，再通过皮秒激光扫描制备得到具有微纳复合结构的黑硅；对所述具有微纳复合结构的黑硅进行硫离子注入改性，退火，制备得到所述S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料。本发明通过皮秒激光‑离子注入的复合掺杂工艺，成功解决了传统掺杂方法中的热损伤与晶格缺陷问题，实现了高浓度、低缺陷的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料制备。该材料在1300nm波段的光吸收率显著提升，为第三代光伏器件及高性能红外探测器提供了可量产的工艺方案，具有重要的应用价值和广阔的市场前景。

本发明授权一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用真空沉积工艺在硅基底表面沉积Se掺杂薄膜，再通过皮秒激光扫描制备得到具有微纳复合结构的黑硅； 对所述具有微纳复合结构的黑硅进行硫离子注入改性，退火，制备得到所述S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料； 所述真空沉积工艺的具体操作为： 以钨蒸发舟装载Se粉，将所述硅基底固定于真空腔室后，在真空度为8.5×10-4Pa的条件下，施加电流17±0.5A，并以3~5Ås的蒸发速率进行沉积，得到所述Se掺杂薄膜； 所述皮秒激光扫描过程中的条件为： 激光器单脉冲能量为4.5±0.5μJ，脉冲宽度为8.7±0.3ps，波长1064nm，光斑直径为20μm，频率为2000KHz，激光脉冲平均能量密度为1.4±0.2kJm2，扫描间距为10μm，扫描速度为100mms，单位面积接受激光脉冲数量N=400； 所述硫离子注入改性的条件为： 将S+离子束在真空度大于5×10-4Pa的条件下，以100keV入射能量垂直注入所述微纳复合结构的黑硅表面，注入剂量为3×1016ionscm2； 所述退火的条件为：在700℃温度下退火30min。

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