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龙图腾网获悉山东大学申请的专利基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411461251.X，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法及应用是由钱凯;姚际凯;戴子忆;詹立设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于导电电极技术领域，提供基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法及应用。其中，基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法包括将疏水溶液均匀涂抹在硅基衬底的表面；将浓度范围为0.1mgml–10mgml，直径范围为10‑200nm，长度范围为1–500um的一维金属纳米材料溶液，垂直施加于疏水溶液后的硅基衬底表面，待一维金属纳米材料溶液挥发形成冰裂纹状导电网络；在冰裂纹状导电网络上涂覆液态高分子聚合物衬底，待液态高分子聚合物衬底固化成柔性导电薄膜；将柔性导电薄膜与硅基底两者剥离，得到冰裂纹状柔性透明电极。该冰裂纹状柔性透明电极的方阻均一，稳定性高，均方根粗糙度低，适用于各种电子设备。

本发明授权基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基底制备冰裂纹状柔性透明电极的方法，其特征在于，包括： 将疏水溶液至少两次涂抹在硅基衬底的表面，直至硅基衬底的表面的疏水溶液均匀；所述疏水溶液为阿赛洛隐形防水剂和SINWE电子纳米防水涂层中的至少一种； 将浓度范围为0.5mgml-10mgml，直径范围为10-200nm，长度范围为1-500μm的一维金属纳米材料溶液，垂直施加于疏水溶液后的硅基衬底表面，待一维金属纳米材料溶液挥发形成冰裂纹状导电网络；采用喷枪将一维金属纳米材料溶液喷涂在涂抹疏水溶液后的硅基衬底表面，所述喷枪的喷嘴的直径为0.1-10mm，喷嘴到硅基底的距离为1-100cm，载运气体为惰性气体；当一维金属纳米材料溶液施加到衬底上时，溶液能够在衬底上钉扎，同时伴随溶液中的溶剂挥发，溶液边缘位置溶剂挥发速度大于溶液中间位置，会产生方向朝向边缘的毛细管力，该毛细管力远大于由于表面张力梯度引起的向溶液中间位置的马兰戈尼回流，从而带动一维金属纳米材料沉积在液滴边缘，最终制备得到一维金属纳米材料排列结构类冰裂纹的导电电极； 在所述冰裂纹状导电网络上涂覆液态高分子聚合物衬底，待液态高分子聚合物衬底固化成柔性导电薄膜；采用加热的方式将液态高分子聚合物衬底进行固化，固化加热温度为60-350℃，加热时间为20-120min； 将所述柔性导电薄膜与硅基底两者剥离，得到冰裂纹状柔性透明电极。

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