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龙图腾网获悉武汉敏声新技术有限公司申请的专利谐振器的制作方法及谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310127168.8，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权谐振器的制作方法及谐振器是由林炳辉;蔡耀;邹杨;高超;王雅馨;詹道栋;丁志鹏;孙博文;孙成亮设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本谐振器的制作方法及谐振器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种谐振器的制作方法及谐振器。制作方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括第一压电层；在第一压电层上形成第一键合层，第一键合层具有第一压电性，且覆盖第一压电层；提供包括第二键合层的第二衬底，第二衬底具有第一端和第二端，第二键合层位于第二端，第二键合层具有第二压电性；在第二衬底中形成损伤层，损伤层位于第一端，且损伤层和第二键合层之间具有部分第二衬底；将第一键合层和第二键合层键合，形成第一晶圆；去除损伤层和第一端的部分第二衬底，剩余的部分第二衬底形成第二压电层；在第二压电层上形成底电极和支撑部件，底电极和部分支撑部件交替设置；去除第一衬底，使第一压电层裸露；在第一压电层上形成顶电极。

本发明授权谐振器的制作方法及谐振器在权利要求书中公布了：1.一种谐振器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供第一衬底，所述第一衬底包括第一压电层，所述第一压电层具有裸露的第一表面； 在所述第一表面上形成第一键合层，所述第一键合层具有第一压电性，以使所述第一键合层覆盖所述第一表面； 提供包括第二键合层的第二衬底，所述第二衬底具有相对的第一端和第二端，所述第二键合层位于所述第二端，且所述第二键合层具有第二压电性； 在所述第二衬底中形成损伤层，以使所述损伤层位于所述第一端靠近所述第二键合层的一侧，且所述损伤层和所述第二键合层之间具有部分所述第二衬底； 将所述第一键合层和所述第二键合层键合连接，以形成第一晶圆； 去除所述损伤层和所述损伤层远离所述第二键合层一侧的部分所述第二衬底，剩余的部分所述第二衬底形成第二压电层，所述第二压电层具有裸露的第二表面，所述第一压电层、所述第一键合层、所述第二键合层和所述第二压电层构成复合压电层； 在所述第二表面上顺序形成底电极和支撑部件，所述底电极和部分所述支撑部件交替设置，所述支撑部件用于支撑所述复合压电层； 去除所述第一衬底，以使所述第一压电层裸露； 在所述第一压电层远离所述第二压电层的一侧形成顶电极。

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