西安电子科技大学芜湖研究院常娟雄获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116084018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310106414.1，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法是由常娟雄;王一;黄永;卢灏;邱慧嫣;程晨言;陈兴;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;薛荣宇;王东;吴勇;韩超设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。
本发明授权一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底上生长牺牲层；所述牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，所述外延孔贯穿所述牺牲层，且所述外延孔远离所述衬底的一端的直径小于靠近所述衬底的一端的直径； 在所述外延孔内以及所述牺牲层上外延生长氮化镓层； 在所述外延孔内以及所述牺牲层上外延生长氮化镓层的步骤，具体包括： 依次在第一预设生长条件和第二预设生长条件下，在化学气相沉积设备内生长所述外延孔内的氮化镓填充层； 在所述第二预设生长条件下，在化学气相沉积设备内生长所述牺牲层上的氮化镓外延层；所述第一预设生长条件中的第一生长温度低于所述第二预设生长条件中的第二生长温度，所述第一预设生长条件中的第一生长压强大于所述第二预设生长条件中的第二生长压强。
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