华灿光电(苏州)有限公司姚振获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利提升外量子效率的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211524564.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权提升外量子效率的发光二极管及其制备方法是由姚振;从颖;龚逸品;梅劲设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升外量子效率的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种提升外量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底和位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括p型层，所述p型层包括多个第一氮化物半导体层和多个第二氮化物半导体层，多个所述第一氮化物半导体层和多个所述第二氮化物半导体层交替层叠，所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的表面的粗糙度。本公开实施例能改善p型层吸收光线的问题，提升发光二极管的发光效率。
本发明授权提升外量子效率的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括衬底10和位于所述衬底10上的外延层，所述外延层包括p型层50，所述p型层50包括多个第一氮化物半导体层51和多个第二氮化物半导体层52，所述p型层50中的所述第一氮化物半导体层51和所述第二氮化物半导体层52均为p型掺杂，多个所述第一氮化物半导体层51和多个所述第二氮化物半导体层52交替层叠，所述第一氮化物半导体层51远离所述衬底10的表面的粗糙度大于所述第二氮化物半导体层52远离所述衬底10的表面的粗糙度； 所述第一氮化物半导体层51和所述第二氮化物半导体层52的数量均为2至5，所述第一氮化物半导体层51与所述第二氮化物半导体层52均为GaN层。
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