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龙图腾网获悉浙江师范大学申请的专利一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211624308.4，技术领域涉及：H10F10/165；该发明授权一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法是由黄仕华;骆芸尔;李林华设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法，所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间。电池具备AgITOMnz1MoOy2MoOy1SiOpp‑c‑SiSiOpTiOx1Mnz2TiOx2CaAl的结构。本发明能提高氧化钛或氧化钼薄膜对晶体硅的钝化效果，且制备过程中大幅降低了等离子对薄膜的轰击，提升了薄膜的钝化性能。

本发明授权一种低成本非掺杂异质结晶体硅太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本的非掺杂异质结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的太阳能电池具有如下的结构：AgITOMnz1MoOy2MoOy1SiOpp-c-SiSiOpTiOx1Mnz2TiOx2CaAl，其中1x11.8，1x21.8,1y12.5,1y22.5,0z10.15，0z20.15,1p2，SiOp层厚度小于1.5nm； 所用的生长设备包括混气室和反应腔体，生长源溶液通过蒸发器蒸发并采用氢气携带的方式进入混气室，然后进入反应腔体，反应腔体内设有上下两个金属网格电极，射频电压加在上下两个金属网格电极之间；制备方法包括如下步骤： 硅片清洗； 氧化钼薄膜生长：清洗后的硅片固定于反应腔体内可旋转的载物台上，打开MoCl5蒸发器的电源，通入氧气、经过氢气携带的MoCl5，打开射频电源，在射频电压的激励下生成等离子，然后发生反应，形成的反应物MoOy1沉积到硅片表面；氧化钼锰薄膜生长：MoOy1薄膜生长结束以后，打开MnCl2蒸发器的电源，经过氢气携带的MnCl2进入反应腔体参与反应，形成的反应物Mnz1MoOy2沉积到MoOy1上面； 氧化钛薄膜生长：利用机械手翻转硅片，关闭MoCl5和MnCl2蒸发器的电源，打开TiCl4蒸发器的电源，经过氢气携带的MoCl5与氧气混合以后，在射频电源激励下生成等离子体，在硅片的背面形成TiOx1薄膜； 氧化钛锰薄膜生长：TiOx1薄膜生长结束以后，打开MnCl2蒸发器的电源，经过氢气携带的MnCl2进入反应腔体参与反应，形成的反应物Mnz2TiOx2沉积到TiOx1上面； 原位退火形成超薄氧化硅：氧化钼、氧化钼锰、氧化钛、氧化钛锰薄膜生长结束以后，关闭所有气阀和射频电源，腔室保持真空，真空度优于0.01Pa，样品在原位退火5~10分钟，退火温度为300~350℃，形成超薄氧化硅； CaAl背电极制备：采用蒸镀法在硅片背表面的Mnz2TiOx2薄膜上面，首先生长10-20nm的钙薄膜，然后生长300~500nm的铝作为电池的背电极； 前表面ITO与银电极生长：采用磁控溅射法，在硅片前表面的Mnz1MoOy2薄膜上面依次生长70~80nm的ITO导电薄膜和300~500nm的叉指状银电极。

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