赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司孙庆灵获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种含光刻胶晶圆的平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211578467.5，技术领域涉及：H10P52/40；该发明授权一种含光刻胶晶圆的平坦化方法是由孙庆灵;杨云春;陆原;张拴;范建国;王晨星设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含光刻胶晶圆的平坦化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含光刻胶晶圆的平坦化方法，涉及半导体工艺技术领域，所述平坦化方法包括：获取待研磨的含光刻胶晶圆，以及获取第一研磨液；获取含光刻胶晶圆的第一理想参数，根据所述第一理想参数调节出第一研磨参数；控制第一研磨液喷淋至所述含光刻胶晶圆上，根据第一研磨参数对所述含光刻胶晶圆进行研磨。通过改变研磨压力和研磨转速，从而得到光刻胶和铜均匀一致的厚度，实现铜与光刻胶组合晶圆的表面平坦化。
本发明授权一种含光刻胶晶圆的平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种含光刻胶晶圆的平坦化方法，其特征在于，所述平坦化方法包括： 获取待研磨的含光刻胶晶圆，以及获取第一研磨液； 获取含光刻胶晶圆的第一理想参数，根据所述第一理想参数调节出第一研磨参数； 控制第一研磨液喷淋至所述含光刻胶晶圆上，根据第一研磨参数对所述含光刻胶晶圆进行研磨； 获取第二研磨液； 获取含光刻胶晶圆的第二理想参数，根据所述第二理想参数重新调节第二研磨参数； 控制第二研磨液喷淋至所述含光刻胶晶圆上，根据第二研磨参数对所述含光刻胶晶圆进行研磨； 在所述控制第一研磨液喷淋至所述含光刻胶晶圆上，根据第一研磨参数对所述含光刻胶晶圆进行研磨中，所述方法包括： 对所述含光刻胶晶圆中的光刻胶进行研磨； 将所述含光刻胶晶圆中的光刻胶厚度研磨至均小于所述含光刻胶晶圆中的金属厚度时停止。
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