上海大学王生浩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041718.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法是由王生浩;陈实设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法在说明书摘要公布了：一种在ITO表面制备纯γ‑CsPbI3薄膜的方法，是以ITO为衬底，先在其表面旋涂SnO2水溶液制备成SnO2薄膜，然后旋涂钙钛矿溶液，进行退火处理，所述SnO2水溶液中SnO2胶体和去离子水体积比为3~7:1。本发明通过在ITO和CsPbI3之间增加一层特定浓度SnO2水溶液制备的SnO2薄膜，1有效阻挡了制备过程中ITO与钙钛矿旋涂液中DMAI的高温化学反应，抑制了CsPbI3在ITO衬底上的产生孔洞，保证薄膜的致密性；2抑制了ITO对于CsPbI3的诱导相变，防止制备过程中薄膜中生成中间相并快速转变为没有光活性的黄色δ相的现象；从而使得以ITO为衬底制备的太阳能电池光电转换效率提升至14.02%。
本发明授权一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种在ITO表面制备纯γ-CsPbI3薄膜的方法，其特征在于：是以ITO为衬底，先在其表面旋涂SnO2水溶液制备成SnO2薄膜，然后旋涂钙钛矿溶液，再进行退火处理，所述SnO2水溶液中SnO2胶体和去离子水体积比为3~7:1，所述钙钛矿溶液是将DMAPbI3与CsI按照摩尔比为1:1混合溶于DMF中，配制成0.8M钙钛矿溶液，所述DMAPbI3是将PbI2粉末与DMF混合，在80℃下缓慢搅拌1h，然后加入HI，升温至100℃反应8h，反应结束后收集固体物质，并进行洗涤和烘干，PbI2粉末、DMF和HI的质量体积比为4.6~5g：10mL：4mL。
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