大连海事大学王颖获国家专利权
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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211338196.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法是由王颖;陈嘉豪;曹菲;李兴冀;杨剑群设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法，该器件包括：N型衬底区；N型多缓冲层，在N型衬底区上方经多次外延形成；N型漂移区，在N型多缓冲层上方外延形成；电流扩展层，在N型漂移区上方外延形成；P型高浓度掺杂区，通过离子注入在电流扩展层顶部刻蚀的沟槽内；N型多晶硅，在P型高浓度掺杂区上方经化学气相沉积形成。本发明通过P型高浓度掺杂区和N型多晶硅形成的异质结代替传统的欧姆接触，在重离子在P型高浓度掺杂区上方入射时，可以大幅降低器件表面的晶格温度，提高器件抗单粒子烧毁的可靠性。
本发明授权一种集成异质结肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成异质结肖特基二极管，其特征在于，包括： N型衬底区100； N型多缓冲层101，所述N型多缓冲层101在所述N型衬底区100的上表面； N型漂移区102，所述N型漂移区102在所述N型多缓冲层102的上表面； 电流扩展层103，所述电流扩展层103在所述N型漂移区102的上表面； P型高浓度掺杂区104，所述P型高浓度掺杂区104在所述电流扩展层103上表面沟槽的底部； N型多晶硅105，所述N型多晶硅105分别在所述P型高浓度掺杂区104的上表面，并与所述P型高浓度掺杂区104形成异质结； 阳极200，所述阳极200在所述电流扩展层103的上表面，并与所述N型多晶硅105连接； 阴极201，所述阴极201在所述N型衬底区100的下表面。
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