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龙图腾网获悉苏州璋驰光电科技有限公司申请的专利一种精准加热制备β-Ga2O3晶体的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115896931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211524292.X，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权一种精准加热制备β-Ga2O3晶体的装置是由冯英俊;赵超;陈跃;彭江龙设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种精准加热制备β-Ga2O3晶体的装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种精准加热制备β‑Ga2O3晶体的装置，涉及β‑Ga2O3晶体制备技术领域，包括烧结炉本体、坩埚和β‑Ga2O3晶体，坩埚设于烧结炉本体中，坩埚内部装有Ga2O3融熔体，还包括晶体生长模具，与坩埚连接；第一绝缘隔热层，与坩埚连接；第二绝缘隔热层，与坩埚连接；电磁加热系统，设于坩埚外侧；射频感应加热系统，设于坩埚外侧，且位于电磁加热系统顶部；狭缝，设于晶体生长模具内；温度感应机构，一端与电磁加热系统连接，另一端与射频感应加热系统连接。本发明通过电磁加热系统和射频感应加热系统对坩埚进行加热，使得Ga2O3融熔体受热熔化，β‑Ga2O3晶体在晶体生长模具上进行生长，温度感应机构对加热的温度进行精确感应控制，保证了β‑Ga2O3晶体的快速高品质生长。

本发明授权一种精准加热制备β-Ga2O3晶体的装置在权利要求书中公布了：1.一种精准加热制备β-Ga2O3晶体的装置，包括烧结炉本体、坩埚和β-Ga2O3晶体，所述坩埚设于烧结炉本体中，所述坩埚内部装有Ga2O3融熔体，其特征在于，还包括： 晶体生长模具，与坩埚连接； 第一绝缘隔热层，与坩埚连接； 第二绝缘隔热层，与坩埚连接； 电磁加热系统，设于坩埚外侧； 射频感应加热系统，设于坩埚外侧，且位于电磁加热系统顶部； 狭缝，设于晶体生长模具内； 温度感应机构，一端与电磁加热系统连接，另一端与射频感应加热系统连接，用于对温度进行精确感应控制； 所述温度感应机构包括射频感应加热系统温度传感器和电磁加热温度传感器，所述射频感应加热系统温度传感器设于射频感应加热系统内，所述电磁加热温度传感器设于电磁加热系统内； 所述射频感应加热系统温度传感器和电磁加热温度传感器构造一致； 所述射频感应加热系统温度传感器包括探头和变换器，所述探头和变换器间电性连接，所述探头包括上盖、螺钉、壳体、隔热外层、双孔瓷管、补偿导线、钨铼偶丝和胶；所述螺钉与上盖转动连接，所述壳体与螺钉螺纹连接，所述隔热外层与壳体连接，所述双孔瓷管设于隔热外层内并与其连接，所述补偿导线贯穿双孔瓷管并与其连接，一端与变换器电性连接，所述钨铼偶丝与补偿导线另一端连接，所述胶一端与双孔瓷管连接，另一端与隔热外层连接。

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