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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211645868.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法是由余晨辉;祖源泽;王鑫;成田恬;罗曼设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法，包括自下而上依次层叠的碳化硅衬底层、氮化铝成核层、弛豫层A、弛豫层B、铝镓氮缓冲层、氮化镓沟道、铝镓氮势垒层；铝镓氮势垒层表面两端设有源极和漏极，铝镓氮势垒层表面设有隔离的绝缘层A和绝缘层B；绝缘层B表面设有栅极层A，且绝缘层A和栅极层A表面设有石墨烯薄膜电极；石墨烯薄膜电极表面左侧设有绝缘层C，绝缘层C表面设有栅极层B、铝电极层；绝缘层A、绝缘层C以及栅极层B组成主栅极和绝缘层B、栅极层A组成副栅极形成串并联混合的双HEMT集成结构。本发明的常闭型氮化镓集成器件的阈值电压可提高至3.7V。

本发明授权一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大阈值电压的常闭型氮化镓集成器件，其特征在于，所述集成器件包括自下而上依次层叠的碳化硅衬底层1、氮化铝成核层2、弛豫层A3、弛豫层B4、铝镓氮缓冲层5、氮化镓沟道6、铝镓氮势垒层7； 所述铝镓氮势垒层7表面两端设有源极8和漏极9，所述铝镓氮势垒层7表面位于源极8和漏极9之间设有隔离的绝缘层A10和绝缘层B11； 所述绝缘层B11表面设有栅极层A13，且绝缘层A10和栅极层A13表面设有石墨烯薄膜电极14；所述石墨烯薄膜电极14表面左侧位于绝缘层A10上方对应设有绝缘层C15，所述绝缘层C15表面设有栅极层B16以及设于栅极层C上的铝电极层17； 其中，所述绝缘层A10、绝缘层B11及绝缘层C15为六方氮化硼材料； 所述绝缘层A10、绝缘层C15以及栅极层B16组成主栅极和所述绝缘层B11、栅极层A13组成的副栅极通过石墨烯薄膜电极14连接形成串并联混合的双HEMT集成结构；其中，所述栅极层A13、栅极层B16为p型氮化镓材料。

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