上海华虹宏力半导体制造有限公司陈曦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211479568.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈曦设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，方法可以包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的第一N型材料层和至少两层隔离材料层，刻蚀所述隔离材料层和第一N型材料层以得到刻蚀沟槽，并暴露出所述半导体衬底表面的离子注入区域；向所述离子注入区域注入N型掺杂离子；在所述离子注入区域的表面形成第一外延层；在所述第一外延层的表面形成第二外延层；形成N型材料结构，所述N型材料结构覆盖所述第二外延层。本发明可以形成自对准结构，有利于提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 形成覆盖所述半导体衬底的第一N型材料层和至少两层隔离材料层，刻蚀所述隔离材料层和第一N型材料层以得到刻蚀沟槽，并暴露出所述半导体衬底表面的离子注入区域； 向所述离子注入区域注入N型掺杂离子； 在所述离子注入区域的表面形成第一外延层； 在所述第一外延层的表面形成第二外延层； 形成N型材料结构，所述N型材料结构覆盖所述第二外延层，所述形成N型材料结构，包括： 形成第二N型材料层，所述第二N型材料层覆盖所述第二外延层； 采用图形化的第二掩膜层，对所述第二N型材料层进行刻蚀，以得到N型材料块；其中，所述N型材料块的宽度大于所述刻蚀沟槽的底部表面的宽度； 继续采用所述第二掩膜层，对所述隔离材料层进行刻蚀，以得到第一N型结构块； 采用第三掩膜层，对所述第一N型材料层进行刻蚀，以形成第二N型结构块；其中，所述第二N型结构块与所述第一N型结构块之间被所述第二外延层以及第一N型结构块中的隔离材料层隔离。
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