通富微电子股份有限公司李骏获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利分散硅中介芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211555419.4，技术领域涉及：H10W95/00；该发明授权分散硅中介芯片封装方法是由李骏;戴颖;石磊;夏鑫设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本分散硅中介芯片封装方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种芯片封装方法，包括：提供基板、多个硅片和多个芯片；分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个硅中介块；从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的背面固定在所述基板上；分别将所述多个芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。将大的硅中介板切割成小的硅中介块，避免了减薄过程中硅中介层的翘曲、破裂。将不同规格的硅中介块根据异质芯片的安装需求进行组合，与异质芯片之间互相对应安装、且可一次成型，缩小了硅中介层的整体面积以及各个芯片的间距，大大提高了封装整体的集成度。
本发明授权分散硅中介芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括： 提供基板、多个硅片和多个芯片；其中，所述基板的一个表面设置有多个凹槽； 分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；其中，至少一个所述硅中介板与其它所述硅中介板不同； 分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个硅中介块； 从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的背面固定在所述基板上对应的所述凹槽内；其中，所述多个目标硅中介块的厚度均相等； 分别将所述多个芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。
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