錼创显示科技股份有限公司方信乔获国家专利权
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龙图腾网获悉錼创显示科技股份有限公司申请的专利外延结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115613132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211249958.5，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权外延结构及其形成方法是由方信乔;王信介;赖彦霖设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延结构及外延结构形成方法，外延结构包括第一外延层、第二外延层及界面处理层。第一外延层为欧姆接触层。第二外延层配置于第一外延层上，且为含磷化合物层，其中第二外延层的材质相异于第一外延层的材质。界面处理层接触第一外延层与第二外延层，且位于第一外延层与第二外延层之间。界面处理层与第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及界面处理层与第二外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值均大于1.005。
本发明授权外延结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，其特征在于，包括： 第一外延层，其为欧姆接触层； 第二外延层，配置于所述第一外延层上，且为含磷化合物层，其中所述第二外延层的材质相异于所述第一外延层的材质；以及 界面处理层，接触所述第一外延层与所述第二外延层，且位于所述第一外延层与所述第二外延层之间，其中所述界面处理层与所述第一外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值及所述界面处理层与所述第二外延层的透射电子显微镜的图像亮度对比值均大于1.005，所述界面处理层中的第一III族元素的浓度从靠近所述第一外延层的一侧往靠近所述第二外延层的一侧递减，且所述界面处理层中的第二III族元素与第三III族元素的浓度从靠近所述第一外延层的一侧往靠近所述第二外延层的一侧递增，其中所述第一III族元素的原子序小于所述第二III族元素的原子序，且大于所述第三III族元素的原子序。
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