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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211337244.X，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法是由王颖;罗佳豪;包梦恬;李兴冀;杨剑群设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子烧毁加固的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：在器件的中心位置刻蚀深沟槽并形成P型屏蔽区和沉积N型多晶硅，通过离子注入的方式在硼掺杂区和N型漂移区之间形成电流扩展层，通过离子注入的方式在硼掺杂区上方形成P型高浓度掺杂区和N型高浓度源区。采用本发明的技术方案，可以调制器件内部电场，是重离子入射轨迹上的电场分布更加平滑，降低器件瞬时功率密度并降低局部高温，同时保护沟槽氧化层免受高温影响，提高器件的正向导通能力，本发明可以在不牺牲器件基础电学特性的前提下显著提高器件的抗单粒子烧毁能力。

本发明授权一种抗单粒子烧毁的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子烧毁加固的沟槽栅功率MOSFET器件，其特征在于，包括： N型衬底区100； N型漂移区101，所述N型漂移区101在所述N型衬底区100的上表面； N型多晶硅102，所述N型多晶硅102在所述N型漂移区101上方的中间的深沟槽内； 电流扩展层103，所述电流扩展层103在所述N型漂移区101的上表面、所述N型多晶硅102的两侧； 硼掺杂区104，所述硼掺杂区104在所述电流扩展层103的上表面、所述N型多晶硅102的两侧； P型高浓度掺杂区105和N型高浓度源区106，所述P型高浓度掺杂区105在所述N型多晶硅102和所述N型高浓度源区106之间； 漏极200，所述漏极200在所述N型衬底区100的下方； 源极201，所述源极201在所述N型多晶硅102、P型高浓度掺杂区105和N型高浓度源区106的上方； 栅极202，所述栅极202在所述电流扩展层103的上方并与所述N型高浓度源区106和所述硼掺杂区104相连，且所述栅极202以所述N型多晶硅102为中心对称设置； P型屏蔽区203，所述P型屏蔽区203分别在所述N型多晶硅102和N型漂移区101之间、所述栅极202和电流扩展层103之间。

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