买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽大学申请的专利存内计算电路、多逻辑存内运算电路及其芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211301473.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存内计算电路、多逻辑存内运算电路及其芯片是由蔺智挺;李苛;吴秀龙;彭春雨设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存内计算电路、多逻辑存内运算电路及其芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及存内计算电路、多逻辑存内运算电路及其芯片。该存内计算电路由多个存储单元构成的存储阵列；存储阵列中相邻的两个存储单元RRAM结构反向放置；每列存储单元连接在四条位线SL、BL、BLBIN、BLBOUT上，NMOS管K1的源极和漏极分别接BLBIN和BLBOUT，NMOS管M8的源极与BL相连，NMOS管M9的漏极与BLBIN相连，M8的漏极、M9的源极接地；每列中相邻的四个存储单元RRAM0～RRAM3构成一个基础的存算单元；存算单元还包括8个NMOS管M0～M7；每个NMOS管的栅极接一个字线。本发明解决了现有RRAM在存内运算操作出现的电阻交叉问题。

本发明授权存内计算电路、多逻辑存内运算电路及其芯片在权利要求书中公布了：1.一种存内计算电路，其特征在于，其包括由多个存储单元构成的存储阵列；所述存储阵列中相邻的两个存储单元RRAM结构反向放置；每列存储单元连接在四条位线SL、BL、BLBIN、BLBOUT上，NMOS管K1的源极和漏极分别接BLBIN和BLBOUT，NMOS管M8的源极与BL相连，NMOS管M9的漏极与BLBIN相连，M8的漏极、M9的源极接地； 每列中相邻的四个存储单元RRAM0~RRAM3构成一个基础的存算单元；所述存算单元还包括8个NMOS管M0~M7；每个NMOS管的栅极接一个字线；M0、M2、M4、M6的源极接SL，M1、M3、M5、M7的源极接BL，M0、M1的漏极接RRAM0的底部电极，M2、M3的漏极接RRAM1的顶部电极，M4、M5的漏极接RRAM2的底部电极，M6、M7的漏极接RRAM3的顶部电极，RRAM0、RRAM2的顶部电极接BLBIN，RRAM1、RRAM3的底部电极接BLBOUT。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。