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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115021732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210625457.6，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法是由洪敏;陈仙;张培健;罗婷;唐新悦;易孝辉设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法，电流补偿电路包括第一PMOS模块及第二PMOS模块；本发明通过“并联设置的、沟道电流方向相互垂直的且电参数特性相同的第一PMOS模块和第二PMOS模块”的结构设计，在任意单轴弯曲应力作用下，将第一PMOS模块的工作电流变化量与第二PMOS模块的工作电流变化量对冲抵消，使得第一PMOS模块或者第二PMOS模块中的PMOS器件的工作电流变化量随之抵消，对外输出经过补偿调节的工作电流，进而使得硅基超薄柔性芯片中的PMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可有效解决因弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，明显提升了硅基超薄柔性芯片的性能稳定性。

本发明授权电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种电流补偿电路，其特征在于，对硅基超薄柔性芯片内部PMOS器件的工作电流进行补偿调节，包括： 第一PMOS模块，其输入端接第一电压，其控制端接第二电压； 第二PMOS模块，与所述第一PMOS模块并联，其输出端与所述第一PMOS模块的输出端接在一起后作为所述电流补偿电路的输出端； 其中，所述第一PMOS模块及所述第二PMOS模块分别设置在所述硅基超薄柔性芯片内，所述第一PMOS模块和所述第二PMOS模块中的至少一个包括待补偿调节的所述PMOS器件，所述第一PMOS模块的沟道电流方向垂直于所述第二PMOS模块的沟道电流方向，且所述第一PMOS模块的电参数特性与所述第二PMOS模块的电参数特性相同，在任意单轴弯曲应力作用下，所述第一PMOS模块的工作电流变化量和所述第二PMOS模块的工作电流变化量相互抵消，使得所述PMOS器件的工作电流变化量随之抵消，在所述电流补偿电路的输出端对外输出经过补偿调节的工作电流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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