中国电子科技集团公司第十一研究所谭启广获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210532126.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器是由谭启广;张轶设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器，所述方法包括：将InSb探测器芯片的背面减薄至预设透镜设计厚度，对所述InSb探测器芯片的背面进行表面处理；蚀刻所述InSb探测器芯片的背面形成凹透镜和凸透镜；在所述凹透镜和凸透镜远离所述InSb探测器芯片的一侧设置反射膜形成微透镜阵列，制作效率高，与探测器材料耦合应力小，耦合精度高，且同时设置有凹透镜和凸透镜，使得微透镜阵列整体填充率较高。
本发明授权InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器在权利要求书中公布了：1.一种InSb焦平面探测器的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 将InSb探测器芯片的背面减薄至预设透镜设计厚度，对所述InSb探测器芯片的背面进行表面处理； 蚀刻所述InSb探测器芯片的背面形成凹透镜和凸透镜； 在所述凹透镜和凸透镜远离所述InSb探测器芯片的一侧设置减反射膜，形成微透镜阵列； 所述方法还包括：InSb探测器芯片光敏区域与互连结构连接，从而通过互连结构将所述InSb探测器芯片和读出电路连接，使得入射光经过减反射膜后射入凹透镜或凸透镜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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