安徽光智科技有限公司赵龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114162778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111493790.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法是由赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括第一晶圆和通过键合层与第一晶圆连接固定的第二晶圆，形成了容纳MEMS的空腔，其中第一晶圆的底面具有凸起，以使得第一晶圆的底面形成有深腔结构，该凸起与深腔结构通过倾斜侧沿过渡连接，而在凸起、倾斜侧沿以及深腔结构内设置有金属激活层，所述金属激活层在深腔结构内是间断设置的，同时在该金属激活层上设置有吸气剂层、以及间隔设置的第一绝缘层和第二绝缘层。所述键合层位于第一绝缘层上，使得吸气剂层位于空腔内，而第一绝缘层和第二绝缘层之间可以安装有激活电极，通过金属激活层的传导对吸气剂层进行电激活，避免了传统的热激活方式对晶圆器件的不利影响。
本发明授权一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括第一晶圆以及第二晶圆，所述第一晶圆的底面设置有凸起，以使得所述第一晶圆的底面形成有深腔结构，所述凸起与所述深腔结构通过倾斜侧沿过渡连接，所述倾斜侧沿自上而下、自内圈向外圈倾斜，所述深腔结构内铺设有延伸至倾斜侧沿与凸起的金属激活层，所述金属激活层在所述深腔结构内间断设置，所述金属激活层上设置有第一绝缘层、第二绝缘层和吸气剂层，所述第一绝缘层和第二绝缘层位于所述凸起上，所述第一绝缘层上设置有键合层，所述第一晶圆和第二晶圆通过所述键合层固定连接并形成空腔，所述吸气剂层位于所述空腔内，所述第二绝缘层位于所述空腔外，所述第一绝缘层与第二绝缘层间隔设置；所述第一绝缘层与第二绝缘层之间用于放置激活电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽光智科技有限公司，其通讯地址为：239000 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励