首尔半导体株式会社金明珍获国家专利权
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龙图腾网获悉首尔半导体株式会社申请的专利发光二极管封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111656543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980003802.9，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权发光二极管封装件是由金明珍;吴光龙设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管封装件在说明书摘要公布了：本实施例涉及一种发光二极管封装件。本实施例的发光二极管封装件包括发出光发光二极管芯片以及透光部件。透光部件覆盖发光二极管芯片的至少顶面，并包含透光性树脂和钢化填料。钢化填料的至少两个侧面具有彼此不同长度，钢化填料分散于所述透光性树脂。
本发明授权发光二极管封装件在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管封装件，包括： 发光二极管芯片，发出光； 透光部件，覆盖所述发光二极管芯片的至少顶面，并包含透光性树脂和钢化填料；以及 阻隔部件，反射从所述发光二极管芯片的侧面发出的光， 所述钢化填料的至少两个侧面具有彼此不同长度，所述钢化填料分散于所述透光性树脂， 所述阻隔部件包含所述钢化填料， 所述钢化填料包含Si、Al、Fe、Ba、Ca、Mg及Na成分中至少一种，并且 所述钢化填料的含量是所述透光性树脂的10wt％以上且200wt％以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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