常州银河世纪微电子股份有限公司曹杰获国家专利权
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龙图腾网获悉常州银河世纪微电子股份有限公司申请的专利一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224154624U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520163218.2,技术领域涉及:H10W72/20;该实用新型一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构是由曹杰;刘刚;陈开创;徐海霞设计研发完成,并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构在说明书摘要公布了:本申请属于半导体制造领域,尤其涉及一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构,包括芯片以及分别设置在芯片两侧的第一电极片和第二电极片,所述第一电极片包括焊接部和连接部,所述焊接部上设置有朝向所述芯片的凸台,所述凸台朝向所述芯片的表面上设置有凹槽,所述焊接部在凸台的两侧部分设置有至少两个台阶。通过设置在第一电极片焊接部凸台上的凹槽,使得在锡焊时焊料能够进入到凹槽内,使得焊接更加牢固,避免脱焊,提高使用寿命。本申请中还在凸台的两侧设置台阶,能够在焊接时促进锡料在焊接部与芯片之间均匀分布,能够使得凸台能够充分焊接在芯片上,凹槽及台阶的设置能够避免焊接时在凸台与芯片之间的锡料夹藏空气形成的虚焊等情况。
本实用新型一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构在权利要求书中公布了:1.一种可提高焊接牢度及均匀性的半导体封装结构,其特征在于,包括芯片2以及分别设置在芯片2两侧的第一电极片和第二电极片4,所述第一电极片包括焊接部31和连接部32,所述焊接部31上设置有朝向所述芯片2的凸台311,所述凸台311朝向所述芯片2的表面上设置有凹槽313,所述焊接部31在凸台311的两侧部分设置有至少两个台阶312。
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