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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种扇出型晶圆级封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224154623U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520944857.2，技术领域涉及：H10W70/655；该实用新型一种扇出型晶圆级封装结构是由赵玥;谢雨龙;张中设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扇出型晶圆级封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种扇出型晶圆级封装结构，其包括重构晶圆和集成在重构晶圆上的第二芯片、第三芯片以及第四芯片，第二芯片竖直方向堆叠在重构晶圆的顶部，第二芯片的有源面通过左导电凸块和右导电凸块的上表面和第一芯片电连接；第三芯片集成在重构晶圆的左侧，第三芯片具有第一导电通孔；第四芯片集成在重构晶圆的右侧，第四芯片具有第二导电通孔；重构晶圆的底部设有第二再布线金属层，第二再布线金属层表面设有多个焊料球，多个芯片通过焊料球与外部电路电连接。本实用新型的封装结构实现了在有限的封装空间内集成更多的芯片和功能模块，显著减小了封装结构的整体尺寸，还实现了多个集成芯片之间的垂直互连，使得信号传输更稳定可靠。

本实用新型一种扇出型晶圆级封装结构在权利要求书中公布了：1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括： 重构晶圆，具有第一芯片，所述第一芯片的有源面朝上裸露，第一芯片的其他面均设有绝缘层；所述第一芯片的有源面设有第一再布线金属层，所述第一再布线金属层左侧设有左导电凸块，右侧设有右导电凸块；所述左导电凸块端部延伸至重构晶圆的左端，所述右导电凸块端部延伸至重构晶圆的右端； 第二芯片，竖直方向堆叠在重构晶圆的顶部，第二芯片的有源面通过左导电凸块和右导电凸块的上表面和第一芯片电连接； 第三芯片，集成在重构晶圆的左侧，第三芯片具有第一导电通孔，所述第一导电通孔具有第一侧面接口和第一底部接口，所述第一侧面接口连接左导电凸块的侧表面； 第四芯片，集成在重构晶圆的右侧，第四芯片具有第二导电通孔，所述第二导电通孔具有第二侧面接口和第二底部接口，所述第二侧面接口连接右导电凸块的侧表面； 其中，所述重构晶圆的底部设有第二再布线金属层，所述第二再布线金属层表面设有多个焊料球，所述第一底部接口、第二底部接口分别连接焊料球，多个芯片通过焊料球与外部电路电连接。

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