苏州晶湛半导体有限公司张丽旸获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224154578U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520494055.6，技术领域涉及：H10H20/84；该实用新型一种半导体结构是由张丽旸;程凯设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的一种半导体结构，半导体结构包括依次层叠设置的N型半导体层、发光层和P型离子掺杂层，其中，P型离子掺杂层包括激活区以及位于激活区两侧的非激活区，激活区中的P型掺杂离子被激活，形成高效发光区，非激活区中的P型掺杂离子被钝化，形成发光障碍区，高效发光区使得电场集中，意味着电场强度大、LED集中发光，能提高发光效率；钝化层覆盖P型离子掺杂层的上表面、以及P型离子掺杂层、发光层和N型半导体层的侧面，避免水汽渗入到器件结构中，提高器件可靠性。
本实用新型一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 层叠设置的N型半导体层11和P型离子掺杂层13，以及位于所述N型半导体层11和P型离子掺杂层13之间的发光层12，所述P型离子掺杂层13包括激活区131以及位于所述激活区131两侧的非激活区132，所述激活区131中的P型掺杂离子被激活，所述非激活区132中的P型掺杂离子被钝化； 钝化层16，所述钝化层16覆盖所述P型离子掺杂层13远离所述发光层12的一侧，并具有暴露所述激活区131的第一开口；所述钝化层16还覆盖所述P型离子掺杂层13、所述发光层12和所述N型半导体层11的侧面。
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