安徽格恩半导体有限公司杨力勋获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种激光发光器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224153764U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520609635.5，技术领域涉及：H01S5/028；该实用新型一种激光发光器件结构是由杨力勋;蔡琳榕设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光发光器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种激光发光器件结构，由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间，所述第一半导体层设置在衬底上；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的正极；第一导电层、第二导电层、正极共同组成第一电连接层；覆盖于第二半导体层部分表面的第一绝缘层；第一绝缘层在蚀刻脊的过程中包覆第一导电层和第二导电层侧壁。本实用新型在蚀刻脊的过程中，隔绝了第一导电层和第二导电层，避免蚀刻气体与第一导电层和第二导电层发生反应，从而提高器件的稳定性。
本实用新型一种激光发光器件结构在权利要求书中公布了：1.一种激光发光器件结构，包括由第一半导体层1、第二半导体层2和有源层3组成的发光器件；有源层3位于第一半导体层1、第二半导体层2之间；所述第一半导体层1设置在衬底4上，其特征在于， 与第二半导体层2形成欧姆接触的第一导电层5，与第一导电层5形成电连接的第二导电层6，与第二导电层6形成电连接的正极7；第一导电层5、第二导电层6、正极7共同组成第一电连接层； 覆盖于第二半导体层2部分表面的第一绝缘层8；第一绝缘层8在蚀刻脊的过程中包覆第一导电层5和第二导电层6侧壁； 覆盖于第一绝缘层8表面和第二半导体层2部分表面且部分暴露于器件外部的第二绝缘层9； 覆盖于衬底4另一面表面,与第一半导体层1分别置于衬底4两侧，并且与第一半导体层1形成电连接的负极10，负极10与衬底4组成第二电连接层。
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