台湾积体电路制造股份有限公司金秉颉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括基于键合的电容器的集成电路装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224139369U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520042042.5，技术领域涉及：H10D1/60；该实用新型包括基于键合的电容器的集成电路装置是由金秉颉;洪丰基;刘人诚;许文义设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括基于键合的电容器的集成电路装置在说明书摘要公布了：一些实施例涉及一种集成电路装置，包括第一IC芯片和第二IC芯片。第一IC芯片包括在第一IC芯片的第一表面的第一和第二导电结构，而第一和第二导电结构在横向上由第一介电结构分隔开。第二IC芯片包括在第二IC芯片的第一表面的第三和第四导电结构，而第三和第四导电结构在横向上由第二介电结构分隔。第一IC芯片的第一表面面向第二IC芯片的第一表面，使得第一导电结构垂直接触第三导电结构以形成第一电容器电极，并且第二导电结构垂直接触第四导电结构以形成第二电容器电极。第一和第二电容器电极形成一个电容器。
本实用新型包括基于键合的电容器的集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，包括： 第一集成电路芯片，包括位于所述第一集成电路芯片的第一表面上的第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构和所述第二导电结构侧向由第一介电结构分隔开，所述第二导电结构与参考电压结构电性连接；以及 第二集成电路芯片，包括位于所述第二集成电路芯片的第一表面上的第三导电结构和第四导电结构，所述第三导电结构和所述第四导电结构侧向由第二介电结构分隔开，所述第四导电结构不直接接触所述第二集成电路芯片的所述第一表面下的任何其他导电结构； 其中，所述第一集成电路芯片的所述第一表面面向所述第二集成电路芯片的所述第一表面，使得所述第一导电结构垂直接触所述第三导电结构以形成第一电容器电极，所述第二导电结构垂直接触所述第四导电结构以形成第二电容器电极，并且所述第一介电结构与所述第二介电结构、所述第一电容器电极、所述第二电容器电极、所述第一介电结构形成第一电容器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励