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龙图腾网获悉宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种锂电池低边放电驱动增强电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224138744U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520508057.6，技术领域涉及：H02J7/61；该实用新型一种锂电池低边放电驱动增强电路是由陈铭;沈剑均设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锂电池低边放电驱动增强电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种锂电池低边放电驱动增强电路，属于电池管理系统BMS领域，安装在电池保护板的电池负极BAT‑跟负载地P‑之间，包含电平转换电路、放电开关加速电路、浪涌吸收电路。所述的电平转换电路以及放电开关加速电路，包含开关二极管D1、NPN三极管Q1、PNP三极管Q2、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、放电NMOS管Q5、电阻R1~R9；所述的浪涌吸收电路，包含电容C1、电阻R10、TVS管D2。本电路解决了解决电池管理芯片所提供的放电驱动的驱动能力不足的问题，实现重载应用场景对放电MOS开关管的快速开关控制。

本实用新型一种锂电池低边放电驱动增强电路在权利要求书中公布了：1.一种锂电池低边放电驱动增强电路，安装在电池负极BAT-跟负载地P-之间，其特征在于，包含电平转换电路、放电开关加速电路、浪涌吸收电路；所述的电平转换电路以及放电开关加速电路，包含开关二极管D1、NPN三极管Q1、PNP三极管Q2、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、放电NMOS管Q5、电阻R1~R9，其中三极管Q1、Q3和Q4的发射极接地,三极管Q1和Q3的基极分别通过电阻R2和R1连接到AFE模拟前端芯片输出的DSG放电控制端，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接到三极管Q2的发射极,三极管Q2的发射极通过开关二极管D1连接到+12V独立电源，开关二极管的P端和N端分别连接+12V独立电源和三极管Q2的发射极，三极管Q2的发射极和基极之间跨接电阻R4，三极管Q3的集电射极通过电阻R5连接到三极管Q2的基极，三极管Q2的集电射极通过串联电阻R6和R9连接到放电MOS管Q5的栅极,三极管Q4的集电极通过电阻R7和R9连接到放电MOS管Q5的栅极；所述的浪涌吸收电路，包含电容C1、电阻R10、TVS管D2,其中电阻C1和电阻R10串联后跨接在放电MOS管Q5的源漏之间，构成RC吸收电路，同时TVS管D2也跨接在放电MOS管Q5的源漏之间，抑制电压尖峰。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宜矽源半导体南京有限公司，其通讯地址为：210039 江苏省南京市雨花台区喜玛拉雅G栋809室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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