深圳市中科光芯半导体科技有限公司郑君雄获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种渐变透镜及激光芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224138511U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202521645446.X,技术领域涉及:H01S5/024;该实用新型一种渐变透镜及激光芯片是由郑君雄;董波;郭丁凯;黄爽;郑春海设计研发完成,并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种渐变透镜及激光芯片在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体地,涉及一种渐变透镜及激光芯片。该渐变透镜,用于激光芯片,所述渐变透镜包括表面透镜,所述表面透镜设在VCSEL基片的一侧面;h‑BN薄膜,h‑BN薄膜设在所述表面透镜远离VCSEL基片的一侧面;其中,所述表面透镜的折射率为由下至上逐渐增加,用于光束光斑的聚焦。实施例,具有该渐变透镜的VCSEL芯片,其有效的将具有聚焦功能的阶梯结构的表面透镜和h‑BN薄膜与VCSEL集成在一起,保证VCSEL芯片整体器件的稳定性。所述表面透镜,能够将VCSEL发出的发散光束进行高效聚焦,使得光束汇聚成更小的光斑,显著降低光束发散角;所述h‑BN薄膜能够将聚焦后光束产生的热量和有源区传导过来的热量进行快速的散发,有效的减少热量对VCSEL的影响。
本实用新型一种渐变透镜及激光芯片在权利要求书中公布了:1.一种渐变透镜,用于激光器的VCSEL基片,其特征在于:所述渐变透镜包括表面透镜,所述表面透镜设在VCSEL基片的一侧面; h-BN薄膜,所述h-BN薄膜设在所述表面透镜远离VCSEL基片的一侧面; 其中,所述表面透镜的折射率为由下至上逐渐增加,用于光束光斑的聚焦。
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