武汉盛势启创科技有限公司曹靖宇获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉盛势启创科技有限公司申请的专利一种双气隙霍尔传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224137363U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520777050.4，技术领域涉及：G01R19/00；该实用新型一种双气隙霍尔传感器是由曹靖宇;钱镇强;柯昌堂设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双气隙霍尔传感器在说明书摘要公布了：一种双气隙霍尔传感器，涉及霍尔电流传感器技术领域，用于降低双气隙霍尔传感器的体积和成本。双气隙霍尔传感器包括C型磁芯、壳体、霍尔芯片和PCB板；C型磁芯设置为两个，两个C型磁芯的端部相对设置，以使两个C型磁芯之间形成两个气隙；壳体一体成型于两个C型磁芯外，壳体上对应一个气隙形成有避位腔，壳体上位于两个C型磁芯的中部形成有检测腔，检测腔的开口方向与两个C型磁芯的分布方向垂直、与两个气隙的分布方向垂直；霍尔芯片至少部分伸入避位腔内；PCB板设置于壳体上，霍尔芯片设置于PCB板上。本申请通过一体成型的壳体和两个C型磁芯，可以降低C型磁芯的安装难度、提高装配精度并降低霍尔传感器的体积。
本实用新型一种双气隙霍尔传感器在权利要求书中公布了：1.一种双气隙霍尔传感器，其特征在于，包括： C型磁芯，设置为两个，两个所述C型磁芯的端部相对设置，以使两个所述C型磁芯之间形成两个气隙； 壳体，一体成型于两个所述C型磁芯外，所述壳体上对应一个所述气隙形成有避位腔，所述壳体上位于两个所述C型磁芯的中部形成有检测腔，所述检测腔的开口方向与两个所述C型磁芯的分布方向垂直、与两个所述气隙的分布方向垂直； 霍尔芯片，至少部分伸入所述避位腔内； PCB板，设置于所述壳体上，所述霍尔芯片设置于所述PCB板上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉盛势启创科技有限公司，其通讯地址为：430058 湖北省武汉市武汉经济技术开发区车城南路69号6栋厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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