深圳市业展电子有限公司李智德获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市业展电子有限公司申请的专利低磁场干扰多通路电阻器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224137355U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520133184.2，技术领域涉及：G01R1/20；该实用新型低磁场干扰多通路电阻器是由李智德;胡丽宇设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本低磁场干扰多通路电阻器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低磁场干扰多通路电阻器，该低磁场干扰多通路电阻器包括第一连接端和第二连接端、沿横向延伸的第一导电连接件和第二导电连接件、以及多个沿横向并列排布的导电件，所述第一导电连接件的一端与第一连接端连接，另一端沿横向朝靠近所述第二连接端的方向延伸，所述第二导电连接件与所述第一导电件沿纵向间隔设置，所述第二导电连接件的一端与所述第二连接端连接；多个沿横向并列排布的导电件，每个所述导电件包括沿纵向延伸的第一段和第二段，所述第一段和所述第二段沿横向间隔排布，所述第一段的一端连接至所述第一导电连接件，所述第一段的另一端与所述第二段的一端连接，所述第二段的另一端连接至所述第二导电连接件。
本实用新型低磁场干扰多通路电阻器在权利要求书中公布了：1.一种低磁场干扰多通路电阻器，其特征在于，包括： 第一连接端和第二连接端； 沿横向延伸的第一导电连接件和第二导电连接件，所述第一导电连接件的一端与第一连接端连接，另一端沿横向朝靠近所述第二连接端的方向延伸，所述第二导电连接件与所述第一导电连接件沿纵向间隔设置，所述第二导电连接件的一端与所述第二连接端连接； 多个沿横向并列排布的导电件，每个所述导电件包括沿纵向延伸的第一段和第二段，所述第一段和所述第二段沿横向间隔排布，所述第一段的一端连接至所述第一导电连接件，所述第一段的另一端与所述第二段的一端连接，所述第二段的另一端连接至所述第二导电连接件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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