深圳市芯电元科技有限公司黄凤明获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市芯电元科技有限公司申请的专利一种沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121665611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610174708.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法是由黄凤明;杨彦峰设计研发完成，并于2026-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以至少在器件外延层的终端区蚀刻出若干终端环沟槽，进而在终端区定义出多个第一平台和一个第二平台；通过第二预设工艺在所有第一平台和第二平台依次进行元素掺杂处理和掺杂杂质激活处理，以使各个第一平台均对应形成终端环工作区；通过第三预设工艺依次在器件外延层完成栅极、源极和漏极的制备，以得到沟槽MOSFET器件。本技术方案，相比于现有技术，其制备所得的沟槽MOSFET器件，更容易实现对终端环结构的宽度及掺杂浓度的精确控制。
本发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以至少在所述器件外延层的终端区蚀刻出若干终端环沟槽，进而在所述终端区定义出多个第一平台和一个第二平台，各个所述第一平台位于相邻的两所述终端环沟槽之间，所述第二平台位于所述器件外延层的元胞区与邻近所述元胞区的所述终端环沟槽之间； 通过第二预设工艺在所有所述第一平台和所述第二平台依次进行元素掺杂处理和掺杂杂质激活处理，以使各个所述第一平台均对应形成终端环工作区； 通过第三预设工艺依次在所述器件外延层完成栅极、源极和漏极的制备，以得到所述沟槽MOSFET器件。
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