中国科学技术大学吴思获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121609830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610130987.1，技术领域涉及：C08F132/08；该发明授权一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法是由吴思;张雨潇;梁烁丰设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法，属于光响应偶氮苯聚合物材料以及纳米压印技术领域。本发明通过选择具有特定分子量范围的偶氮苯聚合物作为压印材料，利用较高分子量可有效提升所得微结构抗弯折能力的特性，从而在柔性基底上直接制备出机械可靠性高的精细结构。本发明方法为制造对结构完整性要求极高的器件提供了切实可行的解决方案，能够有效解决图案在动态弯折中易损坏、导致器件性能劣化的核心难题，尤其适用于制造对结构完整性要求严苛的柔性光电器件，如柔性光波导，能够显著改善图案在动态弯折环境下的耐久性。
本发明授权一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高柔性基底纳米压印光刻胶抗弯折能力的方法，其特征在于： 以偶氮苯聚合物材料作为压印光刻胶，在柔性基底上进行纳米压印； 所述偶氮苯聚合物材料，简记为PNB-Azo-C4，其结构通式如下式Ⅰ所示： ； 其中n代表聚合度，取值为250-400。
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